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標(biāo)題:
NMOS應(yīng)用在高端,需要自舉電容疊加電壓才能打開(kāi)NMOS
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作者:
QWE4562012
時(shí)間:
2025-1-21 09:46
標(biāo)題:
NMOS應(yīng)用在高端,需要自舉電容疊加電壓才能打開(kāi)NMOS
NMOS應(yīng)用在高端,需要自舉電容疊加電壓才能打開(kāi)NMOS
1.這里是不是有錯(cuò)誤啊?應(yīng)該是15V加電容電壓Vc_boot?
2.既然NMOS在高端需要自舉,為什么不直接用PMOS?用PMOS有哪些隱患和不好的地方
1.這里是不是有錯(cuò)誤啊?.png
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2025-1-21 09:45 上傳
作者:
yanjian
時(shí)間:
2025-1-21 11:49
PMOS貴而且性能不好.
比如你看看PMOS內(nèi)阻都不會(huì)很小
作者:
明日之星8
時(shí)間:
2025-1-21 12:19
PMOS做不到那么大功率。高耐壓大電流的都是NMOS。
作者:
xiaobendan001
時(shí)間:
2025-1-21 18:35
大多數(shù)都放假了吧。我也放假了,上管不用PMOS的原因好像是說(shuō)PMOS的高壓或者大電流的型號(hào)都不太好找。成本可能比較高吧
作者:
cnos
時(shí)間:
2025-2-16 13:07
對(duì)于高壓應(yīng)用,主控芯片輸出的電平也就還是那3V 5V的,一樣要想辦法提升電位才能正常控制PMOS,那既然這樣,就干脆用NMOS了。
作者:
TTQ001
時(shí)間:
2025-2-17 00:49
NMOS 晶體管在速度和導(dǎo)電性方面通常比 PMOS 具有顯著優(yōu)勢(shì)。此外,NMOS 晶體管的成本低于 PMOS。實(shí)際上,如果使用 PMOS 晶體管,則可能需要不同的電源電壓,包括正電壓和負(fù)電壓。在散熱方面,PMOS 的功率效率低于 NMOS。
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