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標(biāo)題: 這種MOS封裝電流可以做到很大，但是封裝還不夠小.有沒(méi)有耐壓60V，封裝夠小的，越小... [打印本頁(yè)]

作者: QWE4562012 時(shí)間: 2025-1-11 16:20
標(biāo)題: 這種MOS封裝電流可以做到很大，但是封裝還不夠小.有沒(méi)有耐壓60V，封裝夠小的，越小...
這種MOS封裝電流可以做到很大，但是封裝還不夠小.有沒(méi)有耐壓60V，封裝夠小的，越小越好（封裝小，內(nèi)阻低，結(jié)溫高，熱阻小，結(jié)電容小、Id大，vth小的）有沒(méi)有推薦

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這種MOS封裝電流可以做到很大，但是封裝還不夠小.png (362.06 KB, 下載次數(shù): 0)

作者: 藍(lán)藍(lán)小星星 時(shí)間: 2025-1-12 19:36
你需要多大的電流？體積大可以裝載更大的晶圓，如果使用小管子，只能多個(gè)管子并聯(lián)。

作者: QWE4562012 時(shí)間: 2025-1-13 17:18

藍(lán)藍(lán)小星星發(fā)表于 2025-1-12 19:36
你需要多大的電流？體積大可以裝載更大的晶圓，如果使用小管子，只能多個(gè)管子并聯(lián)。

持續(xù)電流30A

作者: liuzanshui 時(shí)間: 2025-1-14 08:48
這個(gè)MOS在VGS=-10V, ID=-15A時(shí)，導(dǎo)通電阻5.5mΩ，夠小了。30A電流，消耗功率4.95W。這種封裝，熱阻約50℃/W，也就是說(shuō)，溫升約250W，肯定不行。如果VGS=-4.5V, ID=-10A，導(dǎo)通電阻最大到11.3mΩ，那么溫升可達(dá)到500多度。。。換成更小的體積，溫升只會(huì)更高。器件不是這么選的

作者: banguangan 時(shí)間: 2025-1-14 15:20
封裝越小，散熱越差，大電流還是用TO-220之類的封裝，加散熱器。

作者: QWE4562012 時(shí)間: 2025-1-14 20:33

liuzanshui 發(fā)表于 2025-1-14 08:48
這個(gè)MOS在VGS=-10V, ID=-15A時(shí)，導(dǎo)通電阻5.5mΩ，夠小了。30A電流，消耗功率4.95W。這種封裝，熱阻約50℃/W ...

你好那怎么選呢告訴一下方法

作者: liuzanshui 時(shí)間: 2025-1-15 09:19

QWE4562012 發(fā)表于 2025-1-14 20:33
你好那怎么選呢告訴一下方法

要看你的實(shí)際應(yīng)用。考慮使用環(huán)境、散熱情況和器件自身，算出散熱面積，或者采用最直接的方法，直接試，用點(diǎn)溫計(jì)測(cè)量溫升。溫升+最高環(huán)境溫度不能超過(guò)結(jié)溫。如果超過(guò)了，就想辦法散熱或換器件

作者: wufa1986 時(shí)間: 2025-1-15 10:28
PMOS的工藝決定了導(dǎo)通能力比NMOS弱，特別是高壓PMOS的內(nèi)阻更差

作者: ZSJM 時(shí)間: 2025-1-15 11:45
持續(xù)30A, 你最好要用散熱器(鋁/銅).

你選的這種封裝,不容易加散熱器. 你可以用多片并聯(lián)的方式, 用5個(gè)并聯(lián),每個(gè)就才1W左右的功耗.
你也可以選擇,容易加散熱的封裝如TO-220 TO-247
如: TO-247 不加散執(zhí)器大約 40度/W 加散熱 0.5度/W

多個(gè)MOS并聯(lián), 主要原因是二個(gè)方面,一個(gè)是解決散熱問(wèn)題(溫度升高, 導(dǎo)通電阻增大),另一個(gè)才是電流原因.

作者: llzfry 時(shí)間: 2025-1-16 16:54
大電流，小體積，到了一定的極限要求就像魚(yú)和熊掌不可兼得了。建議從設(shè)計(jì)方案一開(kāi)始就要考慮PCB面積，器件體積和性能指標(biāo)的匹配度。

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