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標(biāo)題: 單片機產(chǎn)生PWM波后升壓？？ [打印本頁]

作者: lezzyy 時間: 2013-12-22 20:39
標(biāo)題: 單片機產(chǎn)生PWM波后升壓？？
如圖所示：因為單片機產(chǎn)生的PWM波電壓太低，難以驅(qū)動半導(dǎo)體制冷片（額定電壓12v，4A），所以設(shè)計以下電路，為了使Vi 15v降至Vout得到8v,10v 12v 。
問題1：單片機產(chǎn)生的PWM波可以直接接MOS管嗎,中間需要光電耦合器嗎?
問題2：圖中的M 開關(guān)管，是MOS管合適，還是IGBT合適？？

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作者: 416588479 時間: 2014-1-10 18:28
個人認(rèn)為單片機產(chǎn)生的PWM波可以直接接MOS管，如果怕影響到單片機的穩(wěn)定就加光電耦合器。開關(guān)管用MOS管或IGBT都行，看工作頻率和負(fù)載是什么。只是個人理解。

作者: 奮闘ing 時間: 2014-2-9 11:40
1.可以直接接MOS管，其實光耦不僅是起到隔離作用，還有就是后面的控制部分，比如電壓可以接的高些（12V或者更高些）。2.當(dāng)然是MOS管速度快了。可控硅導(dǎo)通容易，但是不能自行關(guān)斷；IGBT常用于大功率設(shè)備，需要專門的驅(qū)動，所以速度也受影響。高速小功率建議用MOS管。

作者: 1123212 時間: 2016-5-13 08:35
加一個NPN三極管就可以

作者: willis 時間: 2016-5-13 08:47
個人認(rèn)為開關(guān)管使用MOS管比較合適

作者: sososo 時間: 2016-5-13 13:05
MOS管即可

作者: 1061288368 時間: 2016-5-13 16:06
mos管托托的

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