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標(biāo)題: 關(guān)于一個(gè)mos電路過熱的問題 [打印本頁]

作者: wifen    時(shí)間: 2024-7-18 22:36
標(biāo)題: 關(guān)于一個(gè)mos電路過熱的問題
電路想過30安電流,用4個(gè)pmos并聯(lián),現(xiàn)在實(shí)測(cè)用24安不到的電流,溫度一直能升到150度,求問,是否驅(qū)動(dòng)電路有問題?

mos用的這款

作者: wifen    時(shí)間: 2024-7-18 22:37
mos用的是這款。

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51hei.png

作者: cbl213    時(shí)間: 2024-7-19 01:00
沒有問題,只是電流過大導(dǎo)致的正常過熱,注意安全,應(yīng)該多并幾路mos
作者: wskufo    時(shí)間: 2024-7-19 07:16
R2改為5K,試試。
作者: zch5200    時(shí)間: 2024-7-19 08:27
MOS管的驅(qū)動(dòng)電流不夠的話會(huì)發(fā)熱,R1和R2改成1K,或者R1上并聯(lián)個(gè)12V的穩(wěn)壓管
作者: 張?zhí)鞄?nbsp;   時(shí)間: 2024-7-19 08:39
如果是PWM驅(qū)動(dòng),肯定有問題
作者: a399288395    時(shí)間: 2024-7-19 08:39
MOS管可能沒有完全導(dǎo)通; 把R2換成100歐姆試試;
作者: ZSJM    時(shí)間: 2024-7-19 09:19
因?yàn)槭遣皇荘WM
10歐可能小了, 可以改為300~510歐, 這個(gè)是防止自激振蕩. 越大越穩(wěn)定.
每個(gè)管子G,S間可以考慮加穩(wěn)壓二極管,18V. 這時(shí)R2可以改為1K.

還有管子的封裝和散熱. 有的封裝在沒有大散熱器的情況下, 可能每W溫升幾十度.





作者: cjjdemon    時(shí)間: 2024-7-19 09:46
可以測(cè)一下MOS在導(dǎo)通狀態(tài)下的阻值,或者是過24A時(shí)MOS DS端的壓降,應(yīng)該是MOS沒完全導(dǎo)通
作者: wifen    時(shí)間: 2024-7-19 10:25
R1與R2是分壓12伏用來驅(qū)動(dòng)mos,給vgs電壓的。所以阻值相等情況下才會(huì)有-12v,我試試看改R1和R2 改1k看看。
作者: chchking    時(shí)間: 2024-7-19 10:52
注意電路阻抗,三極管增加散熱片
作者: wifen    時(shí)間: 2024-7-19 13:44
zch5200 發(fā)表于 2024-7-19 08:27
MOS管的驅(qū)動(dòng)電流不夠的話會(huì)發(fā)熱,R1和R2改成1K,或者R1上并聯(lián)個(gè)12V的穩(wěn)壓管

R1上為什么并12伏的穩(wěn)壓管
作者: wifen    時(shí)間: 2024-7-19 14:01
現(xiàn)在R1 R2更換為1K 電阻,發(fā)熱問題解決,看來是驅(qū)動(dòng)電流不夠,mos沒有完全開啟
作者: 邵123456    時(shí)間: 2024-7-19 16:44
要做均流控制或者把每個(gè)PMOS的ID額定電流放寬到100A
作者: zch5200    時(shí)間: 2024-7-19 17:13
wifen 發(fā)表于 2024-7-19 13:44
R1上為什么并12伏的穩(wěn)壓管

R1上并12V穩(wěn)壓管,電路開啟的時(shí)候電流經(jīng)穩(wěn)壓管有足夠的電流驅(qū)動(dòng)MOS管,關(guān)閉的時(shí)候R1的作用是提高G極電壓而關(guān)斷MOS管。PMOS和NMOS 一樣  驅(qū)動(dòng)也要電流的。穩(wěn)壓管的作用很大的 可以鉗位G極電壓不會(huì)電壓波動(dòng)時(shí)超過20V而損壞MOS管。
作者: coody_sz    時(shí)間: 2024-7-19 22:18
如果是靜態(tài)驅(qū)動(dòng),不會(huì)那么發(fā)熱的,有點(diǎn)溫?zé)嵴!?br /> 如果是PWM驅(qū)動(dòng),則速度不夠,上驅(qū)動(dòng)IC吧。
最后,你的柵壓24V,確定安全?一般不超過15V,典型值用12V為好。
作者: wifen    時(shí)間: 2024-7-21 16:37
coody_sz 發(fā)表于 2024-7-19 22:18
如果是靜態(tài)驅(qū)動(dòng),不會(huì)那么發(fā)熱的,有點(diǎn)溫?zé)嵴!?br /> 如果是PWM驅(qū)動(dòng),則速度不夠,上驅(qū)動(dòng)IC吧。
最后,你的 ...

這里電阻分壓為12伏
作者: wifen    時(shí)間: 2024-7-21 16:38
zch5200 發(fā)表于 2024-7-19 17:13
R1上并12V穩(wěn)壓管,電路開啟的時(shí)候電流經(jīng)穩(wěn)壓管有足夠的電流驅(qū)動(dòng)MOS管,關(guān)閉的時(shí)候R1的作用是提高G極電壓 ...

不用R1,直接在R1位置改為12伏的穩(wěn)壓管呢?
作者: 指北針    時(shí)間: 2024-7-21 18:37
你這驅(qū)動(dòng)問題很大,雖然MOS是電壓控制,但是柵源電容比較大,你的R2電阻太大了,導(dǎo)致RC充電常數(shù)太大不能快速進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài),所以發(fā)熱。你用個(gè)500歐左右的因該就可以了。不知道驅(qū)動(dòng)信號(hào)是哪里來,如果最大24V,R3也要適當(dāng)減小一些,弄個(gè)3.3K左右,如果5V驅(qū)動(dòng)信號(hào),那就用510歐
作者: wufa1986    時(shí)間: 2024-7-22 09:04
如果你不是pwm控制沒問題啊,按道理一個(gè)足夠了,按發(fā)熱功率0.0046*30=0.138W,用一個(gè)管子也應(yīng)該只有50度不到
作者: wifen    時(shí)間: 2024-7-22 20:02
wufa1986 發(fā)表于 2024-7-22 09:04
如果你不是pwm控制沒問題啊,按道理一個(gè)足夠了,按發(fā)熱功率0.0046*30=0.138W,用一個(gè)管子也應(yīng)該只有50度不 ...

我測(cè)試下來用6個(gè)管子有56度
作者: wifen    時(shí)間: 2024-7-22 20:03
wufa1986 發(fā)表于 2024-7-22 09:04
如果你不是pwm控制沒問題啊,按道理一個(gè)足夠了,按發(fā)熱功率0.0046*30=0.138W,用一個(gè)管子也應(yīng)該只有50度不 ...

你這算錯(cuò)了吧 ,i² x r
作者: wifen    時(shí)間: 2024-7-22 21:44
wufa1986 發(fā)表于 2024-7-22 09:04
如果你不是pwm控制沒問題啊,按道理一個(gè)足夠了,按發(fā)熱功率0.0046*30=0.138W,用一個(gè)管子也應(yīng)該只有50度不 ...


現(xiàn)在電路改這樣了

作者: Y_G_G    時(shí)間: 2024-7-25 11:59
首先,你要先告訴我們,這是不是PWM控制,如果是PWM你這個(gè)電路是肯定不行的,要上驅(qū)動(dòng)電路了
如果不是PWM,而只是開和關(guān)而已,你這個(gè)電路是沒有問題的,而且,我感覺你第一個(gè)電路也不會(huì)有太大問題,MOS管的溫度都不應(yīng)該到150度
按照你的電流,這不過也就5W左右的功耗,除非你是半點(diǎn)散熱的走線都沒有,而且,這還是6個(gè)管子的總功耗,你分到每個(gè)管子,也就1W左右
作者: wifen    時(shí)間: 2024-7-27 20:42
Y_G_G 發(fā)表于 2024-7-25 11:59
首先,你要先告訴我們,這是不是PWM控制,如果是PWM你這個(gè)電路是肯定不行的,要上驅(qū)動(dòng)電路了
如果不是PWM,而只 ...

不是pwm的電路
作者: Y_G_G    時(shí)間: 2024-7-27 22:07
wifen 發(fā)表于 2024-7-22 21:44
現(xiàn)在電路改這樣了

既然不是PWM控制,那你這個(gè)電路原理是沒有問題的了
現(xiàn)在就看你PCB有沒有好的散熱和MOS引腳有沒有畫對(duì),D1方向是不是對(duì)的,VGS的電壓是多少,檢查一下封裝,有時(shí)候會(huì)把P溝道的封裝搞錯(cuò)
作者: hhh402    時(shí)間: 2024-8-2 16:54
如果不是PWM控制,只是簡單開和關(guān)繼電器才是最優(yōu)的,價(jià)格便宜,損耗小,不需要散熱器。
作者: wifen    時(shí)間: 2024-8-3 08:32
Y_G_G 發(fā)表于 2024-7-27 22:07
既然不是PWM控制,那你這個(gè)電路原理是沒有問題的了
現(xiàn)在就看你PCB有沒有好的散熱和MOS引腳有沒有畫對(duì),D1 ...

D1是12伏穩(wěn)壓管
作者: wifen    時(shí)間: 2024-8-3 08:32
這個(gè)是pmos,D1是穩(wěn)壓管。
作者: coody_sz    時(shí)間: 2024-8-3 10:19
你電路圖用的AOD409,但是我手上的參數(shù)跟你貼測(cè)差別很大,60V 26A,40mR @VGS=10V。

作者: wifen    時(shí)間: 2024-8-6 23:00
coody_sz 發(fā)表于 2024-8-3 10:19
你電路圖用的AOD409,但是我手上的參數(shù)跟你貼測(cè)差別很大,60V 26A,40mR @VGS=10V。

這個(gè)寫錯(cuò)了,不是這個(gè)mos
作者: 君工創(chuàng)    時(shí)間: 2024-8-7 08:57
請(qǐng)問樓主,改成現(xiàn)在這樣的電路,會(huì)不會(huì)過熱?
作者: ljfljfljf321    時(shí)間: 2024-8-9 09:40
和我的問題差不多
作者: wifen    時(shí)間: 2024-8-9 21:20
君工創(chuàng) 發(fā)表于 2024-8-7 08:57
請(qǐng)問樓主,改成現(xiàn)在這樣的電路,會(huì)不會(huì)過熱?

目前只短暫測(cè)試了一下,30安左右,裸露空氣中,54度左右。




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