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標(biāo)題: 記錄一下51單片機(jī)io口的雙向理解,望糾正 [打印本頁]

作者: lsylsyyyy 時間: 2024-4-8 16:50
標(biāo)題: 記錄一下51單片機(jī)io口的雙向理解,望糾正
在51單片機(jī)中，當(dāng)你配置一個端口（比如P1.1）為輸出模式并設(shè)置其輸出為高電平時，你實(shí)際上是在寫入該端口的輸出寄存器。當(dāng)你讀取同一個端口時，你讀取的是該端口的輸入寄存器，它反映了端口引腳的實(shí)際電平狀態(tài)。
這里的關(guān)鍵點(diǎn)是理解51單片機(jī)端口寄存器的雙向性。每個端口都有兩個寄存器與之關(guān)聯(lián)：一個用于輸出（通常稱為輸出寄存器），另一個用于輸入（通常稱為輸入寄存器）。當(dāng)你向端口寫入數(shù)據(jù)時，你實(shí)際上是在修改輸出寄存器的值，這決定了端口引腳應(yīng)該輸出的電平。而當(dāng)你從端口讀取數(shù)據(jù)時，你讀取的是輸入寄存器的值，它反映了端口引腳當(dāng)前的實(shí)際電平狀態(tài)，這可能受到外部電路的影響。
因此，當(dāng)你執(zhí)行P1.1 = 1;時，你是在設(shè)置輸出寄存器的P1.1位為高電平。隨后，當(dāng)你執(zhí)行a = P1.1;時，你是在讀取輸入寄存器的P1.1位，獲取的是端口引腳的實(shí)際電平狀態(tài)。這兩個操作涉及的是不同的寄存器，但都是通過相同的端口地址來訪問的。
需要注意的是，當(dāng)端口配置為輸出模式時，輸出寄存器的值會驅(qū)動端口引腳的電平，但輸入寄存器的值會反映引腳的實(shí)際電平，這可能會受到外部電路的影響。因此，即使你設(shè)置了輸出寄存器為高電平，讀取輸入寄存器時仍可能得到低電平，特別是當(dāng)外部硬件響應(yīng)速度過慢或存在其他干擾時。
總結(jié)來說，配置為輸出并寫入的是輸出寄存器，而讀取的是輸入寄存器。雖然它們都是通過相同的端口地址來訪問的，但它們代表了不同的功能：一個用于控制輸出電平，另一個用于讀取實(shí)際電平狀態(tài)。

作者: Hephaestus 時間: 2024-4-8 20:26
最關(guān)鍵的“線與”功能你忘了，51輸出高電平，讀取可以是高電平或者低電平，51輸出低電平，讀取永遠(yuǎn)是低電平。

作者: rayin 時間: 2024-4-8 20:43
51單片機(jī)設(shè)置為準(zhǔn)雙向口, io口輸出為高, 就可以直接讀取io口電平高低了.

作者: xiaoyao166ny 時間: 2024-4-8 21:17
說的很正確

作者: xiaobendan001 時間: 2024-4-8 22:04

Hephaestus 發(fā)表于 2024-4-8 20:26
最關(guān)鍵的“線與”功能你忘了，51輸出高電平，讀取可以是高電平或者低電平，51輸出低電平，讀取永遠(yuǎn)是低電平 ...

也不一定哦，比如輸出0的時候，強(qiáng)制施加一個高，雖然可能燒掉IO，但是讀出來的是啥呢

作者: Hephaestus 時間: 2024-4-8 22:25

xiaobendan001 發(fā)表于 2024-4-8 22:04
也不一定哦，比如輸出0的時候，強(qiáng)制施加一個高，雖然可能燒掉IO，但是讀出來的是啥呢

既然你也知道燒掉，我也沒啥可以再說的了。

作者: STC莊偉 時間: 2024-4-9 08:57
4.13 I/0口的外部輸入何時低(0.8V以下)何時高電平(2.2V以上) 當(dāng)I/0口的外部輸入電平在0.8V以下時，則單片機(jī)認(rèn)為該I0口的外部輸入為低電平;當(dāng)IO口的外部輸入電平在2.2V以上時，則單片機(jī)認(rèn)為該IO口的外部輸入為高電平。實(shí)際制造時按I/0口的外部輸入電平在1.2V以下時為低電平，在1.8V以上時為高電平。但由于存在制造誤差，1.2V以下單片機(jī)不一定認(rèn)為IO口的外部輸入為低電平，1.8V以上單片機(jī)也不一定就認(rèn)為IO口的外部輸入為高電平。但我們保證0.8V以下可以為低電平，2.2V以上可以為高電平，外部輸入電平在0.8V~2.2V之間不保證單片機(jī)能固定地識別IO口的外部輸入為低電平還是為高電平。

作者: hi等你 時間: 2024-4-9 09:06

xiaobendan001 發(fā)表于 2024-4-8 22:04
也不一定哦，比如輸出0的時候，強(qiáng)制施加一個高，雖然可能燒掉IO，但是讀出來的是啥呢

還是把單片機(jī)io口內(nèi)部結(jié)構(gòu)了解一下，如果看不懂就得回爐學(xué)習(xí)模電晶體管基礎(chǔ)電路，如果還怕燒

io口，那我也沒啥可以再說的了

作者: xiaobendan001 時間: 2024-4-9 09:17

Hephaestus 發(fā)表于 2024-4-8 22:25
既然你也知道燒掉，我也沒啥可以再說的了。

只是可能，控制好強(qiáng)度，是可以用至少幾分鐘沒問題的

作者: xiaobendan001 時間: 2024-4-9 09:18

hi等你發(fā)表于 2024-4-9 09:06
還是把單片機(jī)io口內(nèi)部結(jié)構(gòu)了解一下，如果看不懂就得回爐學(xué)習(xí)模電晶體管基礎(chǔ)電路，如果還怕燒

io口，那 ...

你說的就很好了，寫是寫的寄存器，實(shí)際上不一定是真實(shí)的，但是讀，一般是真實(shí)的。

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