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標題: 關于鐵電存儲IC擦寫次數 [打印本頁]

作者: QWE4562012 時間: 2023-12-14 10:26
標題: 關于鐵電存儲IC擦寫次數
鐵電存儲IC擦寫次數達到了10的10次方次，也就是10億次。這個比一般的EEPROM優勢明顯，比如AT24CXX，一般都是10萬次。但是MB85RC16PNF-G-JNERE1為啥SOP8那么大的封裝，鐵電的容量才2KB也就是16Kb，那么小的容量？這是材料局限決定的嗎？有誰知道的？科普一下

MB85RC16PNF-G-JNERE1 鐵電存儲IC.png (144.69 KB, 下載次數: 36)

MB85RC16PNF-G-JNERE1鐵電存儲IC2.png (50.58 KB, 下載次數: 32)

作者: 18680365301 時間: 2023-12-14 11:25
10的10次方是100億次,老弟

作者: 飛云居士 時間: 2023-12-14 12:07
在目前現有的科技水平下，鐵電存儲器產品的容量通常受到材料的限制。鐵電存儲器使用的是一種叫做鐵氧體(ferroelectric)的材料，它是一種晶體狀固體，可以在電場的作用下發生極化現象。然而，鐵氧體的電阻率較高，導致電流密度較低，限制了其容量。為了提高鐵電存儲器的容量，人們一直在努力尋找新的材料和工藝來解決這一問題。近年來，出現了一些新型鐵氧體材料，如鈮鈦酸鹽(NTO)、氧化鋅鐵(ZnFeO)等，這些材料的電阻率和靈敏度都比傳統鐵氧體要高得多，有望用于開發更高容量的鐵電存儲器產品。另外，通過改進制造工藝和提高器件設計效率等方法也可以在一定程度上提升鐵電存儲器的性能。總之，目前的鐵電存儲器產品的容量受限于材料的特性和技術水平的限制，但隨著科學技術的發展以及新材料的應用，未來的鐵電存儲器產品將會更加高效可靠，并具備更高的容量。

作者: Hephaestus 時間: 2023-12-14 12:10
鐵電核心材料并不是硅，還要集成到硅片上，能有多少集成度？

作者: QWE4562012 時間: 2023-12-14 16:44

18680365301 發表于 2023-12-14 11:25
10的10次方是100億次,老弟

那這個擦寫次數有些恐怖啊根本用不完

作者: QWE4562012 時間: 2023-12-14 16:46

Hephaestus 發表于 2023-12-14 12:10
鐵電核心材料并不是硅，還要集成到硅片上，能有多少集成度？

嗯有道理不過他這個擦寫次數可是吊打其他的EEPROM

作者: QWE4562012 時間: 2023-12-14 16:46

飛云居士發表于 2023-12-14 12:07
在目前現有的科技水平下，鐵電存儲器產品的容量通常受到材料的限制。鐵電存儲器使用的是一種叫做鐵氧體(fer ...

你是做半導體的嗎了解那么深

作者: powerdruy 時間: 2023-12-15 09:30
鐵電的優勢也是其他存儲的劣勢，鐵電的劣勢也是其他存儲的優勢，鐵電有集合了RAM和ROM各自的特定，高速存取又掉電保存，但是受限制工藝和材料，難以低成本的大規模集成，這又是常規存儲的優勢所在

作者: bigbigcong 時間: 2023-12-15 10:02
在立創商城看了一下，和24c02價格相差100倍，讀寫次數相差10萬倍。我懷疑是以前用在航天這種級別上的。

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