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標題: ASE4N65SE-ASEMI高壓N溝道MOS管ASE4N65SE [打印本頁]

作者: 強元芯電子 時間: 2023-2-18 11:01
標題: ASE4N65SE-ASEMI高壓N溝道MOS管ASE4N65SE

編輯：ll

ASE4N65SE-ASEMI高壓N溝道MOS管ASE4N65SE

型號：ASE4N65SE

品牌：ASEMI

封裝：TO-220F

最大漏源電流：4A

漏源擊穿電壓：650V

RDS（ON）Max：2.5Ω

引腳數量：3

溝道類型：N溝道MOS管

芯片尺寸：MIL

漏電流：

恢復時間：5ns

芯片材質：

封裝尺寸：如圖

特性：高壓MOS管、N溝道MOS管

工作結溫：-55℃~150℃

ASE4N65SE場效應管

ASE4N65SE的電性參數：最大漏源電流4A；漏源擊穿電壓650V

特征：

低固有電容。

出色的開關特性。

擴展安全操作區域。

無與倫比的柵極電荷：Qg=75 nC（典型值）。

BVDSS=650V，Id=4A

RDS（開）:2.5? （最大值）@VG=10V

歡迎光臨 (http://www.raoushi.com/bbs/)

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