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標(biāo)題: 7N60-ASEMI高壓MOS管7N60 [打印本頁]

作者: 強(qiáng)元芯電子 時(shí)間: 2022-6-18 11:31
標(biāo)題: 7N60-ASEMI高壓MOS管7N60

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7N60-ASEMI高壓MOS管7N60

型號(hào)：7N60

品牌：ASEMI

封裝：TO-220AB

最大漏源電流：7A

漏源擊穿電壓：600V

RDS（ON）Max：1.2Ω

引腳數(shù)量：3

溝道類型：N溝道MOS管

芯片尺寸：MIL

漏電流：

恢復(fù)時(shí)間：5ns

芯片材質(zhì)：

封裝尺寸：如圖

特性：高壓MOS管

工作結(jié)溫：-55℃~150℃

7N60場效應(yīng)管

7N60的電性參數(shù)：最大漏源電流7A；漏源擊穿電壓600V

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