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標(biāo)題: FGL40N120AN-ASEMI大功率IGBT管40A 1200V [打印本頁(yè)]

作者: 強(qiáng)元芯電子 時(shí)間: 2021-5-27 10:59
標(biāo)題: FGL40N120AN-ASEMI大功率IGBT管40A 1200V

編輯：LL

FGL40N120AN-ASEMI大功率IGBT管40A 1200V

品牌：ASEMI

型號(hào)：FGL40N120AN

封裝：TO-247

電性參數(shù)：40A 1200V

正向電流：40A

反向耐壓：1200V

引腳數(shù)量：3

芯片個(gè)數(shù)：2

最大正向電流：240A

芯片大小：

包裝方式：管裝

產(chǎn)品類(lèi)型：IBGT、大功率、高耐壓

種類(lèi)：IGBT

操作溫度：-55°C~150°C

產(chǎn)品描述

ASEMI品牌FGL40N120AN的IGBT管參數(shù)規(guī)格：電流：40A；電壓：1200V；盒裝：

IGBT消除了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點(diǎn)。雖然最新一代功率MOSFET 器件大幅度改進(jìn)了RDS(on)特性，但是在高電平時(shí)，功率導(dǎo)通損耗仍然要比IGBT 技術(shù)高出很多。較低的壓降，轉(zhuǎn)換成一個(gè)低VCE(sat)的能力，以及IGBT的結(jié)構(gòu)，同一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)雙極器件相比，可支持更高電流密度，并簡(jiǎn)化IGBT驅(qū)動(dòng)器的原理圖。

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