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標(biāo)題: 關(guān)于MOS管反接保護(hù)電路,二極管和三極管在這里的作用 [打印本頁]

作者: zjgcshy 時間: 2021-4-1 10:24
標(biāo)題: 關(guān)于MOS管反接保護(hù)電路,二極管和三極管在這里的作用
以上是英飛凌給的TLE987X的反接保護(hù)電路，12V系統(tǒng)。mos S極是Vbat，D極是負(fù)載。Rrp1電阻右邊是MCU升壓電路得到的電壓，應(yīng)該在24V左右，反接時不輸出電壓。求教二極管和三極管在這里的作用

作者: zsw3721 時間: 2021-4-1 12:43
我來說說，不一定對哈。發(fā)生充電器反接時，電池負(fù)極接成了充電器正極，會通過基極電阻產(chǎn)生基極電流使三極管導(dǎo)通并將MOS的G極電位拉低，以關(guān)斷MOS實現(xiàn)保護(hù)。二極管的作用是在MOS關(guān)斷瞬間，阻止反向尖峰損壞三極管等器件。

作者: sml008 時間: 2021-4-1 17:30
實際上內(nèi)部VCP是通過二極管鉗位到地的。電池反接時，三極管導(dǎo)通，相當(dāng)于把mosfet及以后的電路短路了，對后級電路而言沒有電壓輸出，也就保護(hù)了后級電路。

作者: william_wangxb 時間: 2021-4-1 23:08
圖中是一顆增強型的NMOS管，正常連接時，G_S電壓超過閾值，管子就導(dǎo)通了，反接時NPN三極管基極高電平則導(dǎo)通，通過二極管續(xù)流到地線，G點電位下降，關(guān)斷MOS管起到了保護(hù)作用，樓上說得對

作者: paladina 時間: 2021-4-2 14:18

zsw3721 發(fā)表于 2021-4-1 12:43
我來說說，不一定對哈。發(fā)生充電器反接時，電池負(fù)極接成了充電器正極，會通過基極電阻產(chǎn)生基極電流使三極管 ...

我覺得二極管不是防止尖峰而是因為三極管Vebo只有5-6v，正接24v 會擊穿的

作者: sml008 時間: 2021-4-2 16:46
二極管（Drp）的作用是防止正常工作時三極管（Trpg）被擊穿，。二極管（Drp）也可以換個位置接到Rrp2和地之間，陽極接地。paladina 說的是對的。

作者: TTQ001 時間: 2021-4-3 08:55
當(dāng)電池極性反轉(zhuǎn)時，晶體管TRPG導(dǎo)通并拉低MOSFET柵極的電壓以立即將其關(guān)閉。當(dāng)電池正常連接時，二極管用于保護(hù)晶體管TRPG免受反向電壓的影響。

作者: 霞霞 時間: 2021-4-3 10:19
1防反接 2兼限流

作者: guobaox1981 時間: 2024-8-21 21:18
供電正常時MOS內(nèi)部并聯(lián)二極管提供啟動電流，MOS壓降0.7-1V較高，緊接著IC工作VCP自舉升壓。VCP與+BAT之間產(chǎn)生12V電壓，通過RP1,加在MOS管GS上，驅(qū)動MOS完全導(dǎo)通。MOS壓降極低，壓降可忽略。
無二極管電源電壓經(jīng)RP1加在三極管發(fā)射極。三極管Vbe反向最多只有8-9V，電源電壓超8V 三極管就會擊穿損壞。
當(dāng)供電接反時，MOS管S腳對地是負(fù)電位。MOS內(nèi)部并聯(lián)二極管不導(dǎo)通。電流從地到電阻 RP2到三極管Be到二極管Drp到+BAT，形成放大開關(guān)電路三極管CE導(dǎo)通，短接MOS的GS。 IC已有反接保護(hù)二極管。VCP可認(rèn)為時浮動狀態(tài)或高阻接地。驅(qū)動無效。從而保護(hù)后級

作者: donglw 時間: 2024-8-22 07:04
其功能詳見帖子：http://www.raoushi.com/bbs/dpj-236102-1.html

作者: coody_sz 時間: 2024-8-22 09:48
仿反接的電路。
電源正常連接時，二極管用于防止輸入電壓反向擊穿三極管的VBE（超過-5V就會開始擊穿），IC通過電容BOOT自舉讓MOSFET導(dǎo)通。
電源反接時，二極管導(dǎo)通，三極管導(dǎo)通，將柵壓VGS嵌位在一個二極管壓降0.6~0.7V，MOSFET不通。

作者: xianfajushi 時間: 2024-8-23 09:36
場效應(yīng)管看GS端就知道是控制開關(guān)的,三極管導(dǎo)通VGS電壓減小,至于二極管為反向保護(hù)三極管基射極反向耐壓而設(shè),這種場效應(yīng)管符號在IN仿真軟件一時沒找到.

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