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標題: GBL806-ASEMI​品牌氮化鎵快充整流橋​ [打印本頁]
作者: 強元芯電子    時間: 2020-11-30 17:50
標題: GBL806-ASEMI​品牌氮化鎵快充整流橋​
編輯：LL
GBL806-ASEMI​品牌氮化鎵快充整流橋​
ASEMI品牌氮化鎵快充整流橋 GBL806/ GBL-4 插件封裝
型號：GBL806
品牌：ASEMI
封裝：GBL-4
正向電流：8A
反向電壓：600V
芯片個數：4
芯片材質：GPP
工作溫度：-50℃~150℃
封裝形式：插件
GBL806-ASEMI品牌氮化鎵快充整流橋采用氮化鎵材料，相比傳統充電器，散熱快。氮化鎵與前兩代的半導體相比，禁帶寬度大、導熱系數更高。而且可在200以上的高溫下工作，能承載更高的能量密度，可靠性高。散熱快。氮化鎵與前兩代的半導體相比，禁帶寬度大、導熱系數更高。






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