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標(biāo)題: 25N120-ASEMI(MOS管)大功率場效應(yīng)管 [打印本頁]

作者: 強元芯電子 時間: 2020-11-13 14:06
標(biāo)題: 25N120-ASEMI(MOS管)大功率場效應(yīng)管

編輯：LL

ASEMI品牌 25N120 MOS場效應(yīng)晶體管插件封裝 MOSFET

型號：25N120

封裝：TO-247/3P

漏極電流（VDS）：25A

漏源電壓（ID）：1200V

工作溫度：-55℃~150℃

種類：場效應(yīng)晶體管/MOSFET

品牌：ASEMI

市面上常有的一般為N溝道和P溝道，詳情參考右側(cè)圖片(P溝道耗盡型MOS管)。而P溝道常見的為低壓mos管。

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