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標(biāo)題: 25N120-ASEMI(MOS管)大功率場效應(yīng)管​ [打印本頁]
作者: 強(qiáng)元芯電子    時(shí)間: 2020-11-13 14:06
標(biāo)題: 25N120-ASEMI(MOS管)大功率場效應(yīng)管​
編輯：LL
ASEMI品牌 25N120 MOS場效應(yīng)晶體管 插件封裝 MOSFET
型號(hào)：25N120
封裝：TO-247/3P
漏極電流（VDS）：25A
漏源電壓（ID）：1200V
工作溫度：-55℃~150℃
種類：場效應(yīng)晶體管/MOSFET
品牌：ASEMI
市面上常有的一般為N溝道和P溝道，詳情參考右側(cè)圖片(P溝道耗盡型MOS管)。而P溝道常見的為低壓mos管。






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