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標題: 金屬面晶體YSO110TR參數特點 [打印本頁]
作者: 電子元器件    時間: 2020-10-9 14:19
標題: 金屬面晶體YSO110TR參數特點
      金屬面晶體YSO110TR
　　升級款貼片有源晶振,性能更優
　　超小型SMD金屬封裝、可達工業級溫度
　　1612/2016/2520/3225/5032/7050六種封裝尺寸
　　符合RoHSren證、無鉛環保

　　金屬面晶體YSO110TR特點：
　　頻率范圍：1~54MHz
　　頻差(25℃)：±10PPM，±20PPM，or specify
　　老化(zui大)：±3PPM/年
　　溫度范圍：-40~+85℃
　　電壓：1.8~3.3V
　　輸出方式：CMOS
　　體積：1612,2016,2520,3225,5032,7050
　　取代型號：YSO211SR、YSO221SR、YSO321SR、YSO531SR、YSO751SR
　　應用：WLAN、藍牙、DSC、DSL等IT產品

　　金屬面晶體YSO110TR電氣規格：
　　輸出頻率范圍：1~54MHz或指定
　　輸出類型：互補金屬氧化物半導體
　　供電電壓：1.8V ~ 3.3V
　　振蕩模式：基本
　　頻率公差(25℃)：±10ppm、±20ppm，或另行規定
　　輸出負載：15pf,或指定
　　工作溫度范圍：-40~+85℃、-40~+125℃，或指定
　　頻率對溫度特性：±20ppm、±30ppm、±50ppm或指定
　　存儲溫度范圍：-55 ~ + 125℃
　　電壓Vol(zui大)/Vol(zui小)：90%Vddzui小/10%Vddzui大
　　對稱：45 ~ 55%
　　上升(Tr)/下降(Tf)時間：4nsmax。
　　啟動時間：3 msmax。
　　頻率老化(at25℃)：±3ppm/yearMax

　　金屬面晶體YSO110TR包裝尺寸：







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