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標題: MSB30M-ASEMI快恢復軟橋 [打印本頁]

作者: 強元芯電子 時間: 2020-9-18 14:33
標題: MSB30M-ASEMI快恢復軟橋

編輯-LL

MSB30M-ASEMI快恢復軟橋

型號：MSB30M

品牌：ASEMI

封裝：MSB-4

電性參數：3A 1000V

芯片材質：快恢復芯片

特性：貼片整流橋、快恢復軟橋

快充整流橋相比傳統充電器，它有哪些優勢？

1、充電。氮化的帶隙比硅高得多，這意味著它可以隨時間傳導更高的電壓。帶隙較大也意味著電流可以比硅更快地流過GaN制成的芯片，從而可以更快地進行處理，充電更快。

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