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標(biāo)題: OC5806L內(nèi)置MOS 寬輸入電壓降壓型 DC-DC芯片150V/3A [打印本頁(yè)]

作者: 3007413507 時(shí)間: 2020-8-4 10:47
標(biāo)題: OC5806L內(nèi)置MOS 寬輸入電壓降壓型 DC-DC芯片150V/3A

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概述

OC5806L是一款兼容寬輸入電壓范圍的開(kāi)關(guān)降壓型DC-DC。芯片內(nèi)置150V/3A功率MOS。

OC5806L采用固定頻率的PWM峰值電流模控制方式，具有低待機(jī)功耗、快的響應(yīng)速度，以及優(yōu)異的母線電壓與負(fù)載調(diào)整率。典型開(kāi)關(guān)頻率為140KHz。輕載時(shí)會(huì)自動(dòng)降低開(kāi)關(guān)頻率以獲得高的轉(zhuǎn)換效率。

OC5806L同時(shí)支持輸出恒壓與輸出恒流。

OC5806L內(nèi)部集成軟啟動(dòng)以及過(guò)溫保護(hù)電路，輸出短路保護(hù)，限流保護(hù)等功能，提高系統(tǒng)可靠性。

**輸出電流設(shè)置**輸出電流通過(guò)連接于VSEN與GND之間的電阻設(shè)置（參見(jiàn)圖1 應(yīng)用電路圖）：

_5IOUT MAX VCSR=VCS 典型值為150mV。例如R5=100mOhm 則輸出限流為1.5A。輸出電壓設(shè)置通過(guò)連接于FB1，F(xiàn)B2 腳的分壓電阻R1，R3，R2，R4 設(shè)置輸出電壓。電阻選擇應(yīng)滿(mǎn)足R1=R2，R3=R4。3 1*1VOUT R R VFBR+=其中VFB 典型值為397mV。

電感取值電感典型取值在33uH到100uH之間，大的電感值可獲得小的紋波電流有助于提高效率。另一方面需注意電感的ESR，ESR過(guò)大會(huì)降低效率。

過(guò)溫保護(hù)芯片內(nèi)部集成過(guò)溫保護(hù)，當(dāng)芯片溫度高過(guò)溫保護(hù)點(diǎn)（典型值為150 度）時(shí)，系統(tǒng)會(huì)關(guān)斷功率管，從而限制輸入功率，增強(qiáng)系統(tǒng)可靠性。

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