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標(biāo)題: 像2301那種mos導(dǎo)通后，VDS電壓是0嗎？也就是沒(méi)有損耗?仿真是沒(méi)有損耗的 [打印本頁(yè)]

作者: QWE4562012 時(shí)間: 2020-4-16 15:45
標(biāo)題: 像2301那種mos導(dǎo)通后，VDS電壓是0嗎？也就是沒(méi)有損耗?仿真是沒(méi)有損耗的
如題

作者: cjjdemon 時(shí)間: 2020-4-16 16:14
怎么可能沒(méi)有損耗，都有導(dǎo)通內(nèi)阻的，規(guī)格書(shū)上會(huì)定義。

作者: 1217724934 時(shí)間: 2020-4-16 17:00
mos的導(dǎo)通損耗和通過(guò)的電流和mos的內(nèi)阻有關(guān)，可以自己計(jì)算下

作者: 學(xué)習(xí)單片機(jī)lq 時(shí)間: 2020-4-16 17:36
仿真是理想狀態(tài)，琛想和現(xiàn)實(shí)的差別有些時(shí)候還很大

作者: lfc315 時(shí)間: 2020-4-16 18:12
導(dǎo)通后，DS之間相當(dāng)于是個(gè)小電阻，具體有多小，看規(guī)格書(shū)，有毫歐級(jí)的，也有歐姆級(jí)的。

作者: wulin 時(shí)間: 2020-4-17 08:51
新型MOS管的飽和導(dǎo)通內(nèi)阻在幾毫歐到幾十毫歐，做低頻開(kāi)關(guān)其損耗很小。但用于高頻就不同了，隨頻率升高損耗也增大。

作者: wulin 時(shí)間: 2020-4-17 08:52
新型MOS管的飽和導(dǎo)通內(nèi)阻在幾毫歐到幾十毫歐，做低頻開(kāi)關(guān)其損耗很小。但用于高頻就不同了，隨頻率升高損耗也增大。

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