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標題: 求分析MCU+繼電器電路是如何工作的？ [打印本頁]

作者: jefelee 時間: 2019-4-9 19:04
標題: 求分析MCU+繼電器電路是如何工作的？
MCU為高電繼電器吸合還是為低電平時繼電器吸合？

190103.png (590.4 KB, 下載次數: 71)

作者: devcang 時間: 2019-4-9 20:06
低釋放、高吸合。

其實，要查詢一下8050是什么類型的三極管就清楚了，三極管8050是非常常見的NPN型晶體三極管。

作者: liugang 時間: 2019-4-9 20:09
本帖最后由 liugang 于 2019-4-9 22:07 編輯

高電平吸合

作者: wulin 時間: 2019-4-9 22:02

MCU輸出高電平，二極管D6截止，驅動電流經R4、R6致Q1導通，繼電器吸合（B通路）。MCU輸出低電平，二極管D6導通，驅動電流經R4、D6、MCU。Q1截止，繼電器釋放（A通路）。

作者: jefelee 時間: 2019-4-10 07:59

wulin 發表于 2019-4-9 22:02
MCU輸出高電平，二極管D6截止，驅動電流經R4、R6致Q1導通，繼電器吸合（B通路）。MCU輸出低電平，二極 ...

大哥，指點下，為何MCU為低電平時，A這條導通，B這條不通，是不是，三極管的Vbe壓降大，二極管1N60P壓降相對更小。電壓會向更低電位導通。MCU為低電平時，A通B不通？

作者: liushangming 時間: 2019-4-10 08:54
首先mcu電壓要夠高，如24V，高吸合低釋放；低于24v，繼電器始終釋放。

作者: robinsonlin 時間: 2019-4-10 10:13

jefelee 發表于 2019-4-10 07:59
大哥，指點下，為何MCU為低電平時，A這條導通，B這條不通，是不是，三極管的Vbe壓降大，二極管1N60P壓 ...

低電平時，1N60P正向導通，既然是導通，那么從電阻就很小了。幾乎可以認為此時1N60P這邊是一個直接到地的效果，而此時，另外一邊還有2.2k才能到地。所以，電流會走A線。

高電平時，75k和2.2k分壓后，節點處電壓值只有1.4v左右（此處預算了三極管壓降），小于OUT口3.3或者5v，所以，1N60P截止，電流被強制走B線。三極管導通，繼電器吸合。

作者: diy1997 時間: 2019-4-10 11:53
上次好像看過這個圖。

不知道為什么這樣設計？

作者: chtyise 時間: 2019-4-10 15:18
輸出0伏的時候，二極管鉗位，A點電壓PN結電壓，基極正偏電壓vbe一個PN結電壓，這樣基極電流大概IB = ( vA - vbe )/2.2k = 0,三極管開時候,工作在飽和區， ic =n*ib ，現在 0.

作者: wulin 時間: 2019-4-10 20:01

jefelee 發表于 2019-4-10 07:59
大哥，指點下，為何MCU為低電平時，A這條導通，B這條不通，是不是，三極管的Vbe壓降大，二極管1N60P壓 ...

你的疑慮是真實存在的，硅材料的PN結的正向導通壓降基本相同。其實這個電路是有缺陷的，MCU為低電平時不能保證Q1完全截止，只不過由于R6的存在Q1的be電流很小，雖經放大后也不足以使繼電器誤動作。在要求較高的場合會在Q1的e極到地接二極管墊高0.7V以保證Q1能夠可靠截止。

作者: jefelee 時間: 2019-4-11 10:18

wulin 發表于 2019-4-10 20:01
你的疑慮是真實存在的，硅材料的PN結的正向導通壓降基本相同。其實這個電路是有缺陷的，MCU為低電平時不 ...

解釋和補充非常到位。即考慮防止誤動作又考慮成本，所以，選用壓降較低的1N60P（壓降約為0.28V左右），低電平時，基本不會出現放大現象（對于Q1，畢竟Vbe約為0.6左右嘛）。
最后，感謝您的回復。

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