區(qū)別一：導通特性
N溝MOS的特性，Vgs大于一定的值就會導通，適合用于源極接地時的情況（低端驅動），只要柵極電壓達到4V或10V就可以了。而PMOS的特性，Vgs小于一定的值就會導通，適合用于源極接VCC時的情況（高端驅動）。
區(qū)別二：MOS開關管損失
不管是N溝MOS還是P溝MOS，導通后都有導通電阻存在，這樣電流就會在這個電阻上消耗能量，這部分消耗的能量叫做導通損耗。而選擇導通電阻小的MOS管會減小導通損耗，且現(xiàn)在的小功率MOS管導通電阻一般在幾十毫歐左右，也有幾毫歐。除此之外，MOS在導通和截止的時候，一定不是在瞬間完成的，這是有一個下降的過程，流過的電流也有一個上升的過程。
在這段時間內(nèi)，MOS管的損失是電壓和電流的乘積，叫做開關損失。通常開關損失比導通損失大得多，而且開關頻率越高，損失也越大。導通瞬間電壓和電流的乘積很大，造成的損失也就很大，所以縮短開關時間，減小每次導通時的損失；降低開關頻率，可以減小單位時間內(nèi)的開關次數(shù)。
區(qū)別三：MOS管使用
P溝MOS管的空穴遷移率低，因而在MOS管的幾何尺寸和工作電壓絕對值相等的情況下，PMOS管的跨導小于N溝MOS管。此外，P溝MOS管閾值電壓的絕對值偏高，要求有較高的工作電壓。PMOS因邏輯擺幅大，充電放電過程長，加之器件跨導小，所以工作速度更低，在N溝MOS管出現(xiàn)之后，多數(shù)已為NMOS管所取代。只是，因P溝MOS管工藝簡單，價格便宜，有些中規(guī)模和小規(guī)模數(shù)字控制電路仍采用PMOS電路技術。
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