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標(biāo)題: 低電壓NAND flash介紹 [打印本頁]

作者: 13691982107 時(shí)間: 2018-7-17 15:47
標(biāo)題: 低電壓NAND flash介紹

隨著便攜式設(shè)備和穿戴式設(shè)備的興起，產(chǎn)品對(duì)于功耗的要求也是越來越嚴(yán)格，基本這類設(shè)備對(duì)于待機(jī)時(shí)間，工作時(shí)間都有相應(yīng)的要求。然而普通的NAND flash的供電電壓是3.3V，這樣就導(dǎo)致整個(gè)NAND flash在讀和寫的時(shí)候，功耗會(huì)比較大。如果系統(tǒng)要頻繁從NAND flash中獲取數(shù)據(jù)，這樣對(duì)于整個(gè)NAND flash的功耗又會(huì)增加，據(jù)此原因，ATO針對(duì)這類應(yīng)該開發(fā)出來了1.8V的低電壓，低功耗NAND flash。

下面主要說明一下，ATO 1.8V 1Gb NAND flash的規(guī)格以及和3.3V NAND flash的對(duì)比。

圖1 3.3V NAND flash的直流特性的指標(biāo)

圖2 1.8V NAND flash的直流特性指標(biāo)。

從上面兩個(gè)圖的對(duì)比可以看出，讀，寫，操作操作時(shí)，電流的指標(biāo)是一樣的。但是1.8V的電壓值幾乎是一半與3.3V，故功耗也幾乎是3.3V 的一半。

所以，對(duì)于功耗的節(jié)省是非常明顯的。

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