標題: L6203直流電機驅(qū)動器電路原理圖PCB與單片機控制程序等詳細資料 [打印本頁]
作者: 電子愛好者999 時間: 2018-2-19 02:12
標題: L6203直流電機驅(qū)動器電路原理圖PCB與單片機控制程序等詳細資料
Altium Designer畫的L6203直流電機控制驅(qū)動器電路原理圖和PCB圖如下:(51hei附件中可下載工程文件)
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L6203模塊的實物圖:
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【模塊的簡要說明】
一、尺寸:長66mmX寬33mmX高28mm
二、主要芯片:L6203
三、工作電壓:控制信號直流4.5~5.5V;驅(qū)動電機電壓7.2~30V
四、可驅(qū)動直流(7.2~30V之間電壓的電機)
五、最大輸出電流4A
六、最大輸出功率20W
七、特點:1、具有信號指示
2、轉(zhuǎn)速可調(diào)
3、抗干擾能力強
4、具有續(xù)流保護
5、可單獨控制一臺直流電機
6、PWM脈寬平滑調(diào)速(可使用PWM信號對直流電機調(diào)速)
7、可實現(xiàn)正反轉(zhuǎn)
8、此驅(qū)動器非常時候控制飛思卡爾智能車,驅(qū)動器壓降小,電流大,驅(qū)動能力強。
【標注圖片】
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直流電機的控制實例
使用驅(qū)動器可以控制一臺直流電機。電機分別為OUT1和OUT2。輸入端EN可用于輸入PWM脈寬調(diào)制信號對電機進行調(diào)速控制。(如果無須調(diào)速可將EN使能端,接高低電平,高電平啟動,低電平停止。也可由單片機輸出直接控制)實現(xiàn)電機正反轉(zhuǎn)就更容易了,輸入信號端IN1接高電平輸入端IN2接低電平,電機正轉(zhuǎn)。(如果信號端IN1接低電平, IN2接高電平,電機反轉(zhuǎn)。)可參考下圖表:
直流電機測試程序
【原理圖】

【測試程序】
- /********************************************************************
- 實現(xiàn)功能:調(diào)試程序
- 使用芯片:AT89S52 或者 STC89C52
- 晶振:11.0592MHZ
- 編譯環(huán)境:Keil
- 作者:zhangxinchun 匯誠科技
- *********************************************************************/
- #include<reg52.h>
- #define uchar unsigned char//宏定義無符號字符型
- #define uint unsigned int //宏定義無符號整型
- sbit P2_0=P2^0;//啟動
- sbit P2_1=P2^1;//停止
- sbit P2_2=P2^2;//正轉(zhuǎn)
- sbit P2_3=P2^3;//反轉(zhuǎn)
- sbit P1_0=P1^0;//使能
- sbit P1_1=P1^1;//IN1
- sbit P1_2=P1^2;//IN2
- /********************************************************************
- 延時函數(shù)
- *********************************************************************/
- void delay(uchar t)//延時程序
- {
- uchar m,n,s;
- for(m=t;m>0;m--)
- for(n=20;n>0;n--)
- for(s=248;s>0;s--);
- }
- /********************************************************************
- 主函數(shù)
- *********************************************************************/
- main()
- {
- while(1)
- {
- if(P2_0==0){delay(3);if(P2_0==0)//啟動
- {
- P1_0=1;
- P1_1=1;
- P1_2=0;
- }}
- if(P2_1==0){delay(3);if(P2_1==0)//停止
- {
- P1_0=0;
- }}
- if(P2_2==0){delay(3);if(P2_2==0)//正轉(zhuǎn)
- {
- P1_1=1;
- P1_2=0;
- }}
- if(P2_3==0){delay(3);if(P2_3==0)//反轉(zhuǎn)
- {
- P1_1=0;
- P1_2=0;
- }}
- }
- }
復制代碼
L6203
DMOS(消耗型金屬氧化物半導體)全控橋驅(qū)動器
- 供電電壓:48V
- 最大峰值電流5A(L6021最大2A)
- 電流有效值:
- L6201: 1A; L6202: 1.5A; L6203/L6201PS: 4A
- RDS (ON) 電阻值 0.3 (室溫 25 C)
- 擊穿電壓保護
- 兼容TTL電路
- 運行最高頻率100KHz
- 熱滯
- 集成邏輯電路使用
- 高效
概述
L6201是一種應用多源BCD(Bipolar,CMOS,DMOS)技術(shù)來控制電機的全控橋驅(qū)動器芯片,這種芯片能將獨立的DMOS場效應晶體管和CMOS以及二極管集成在一塊芯片上。由于使用模塊化擴展技術(shù),L6201可以實現(xiàn)邏輯電路及功率級的優(yōu)化。DMOS場效應管能在42V的電壓下運行,同時具備高效、高速的切換性能。兼容所有的TTL, CMOS andC輸入。每個獨立的邏輯輸入能控制一個溝道(半橋),而公共的使能端可以控制兩個溝道。L6201共有3中不同的封裝型號。
分類數(shù)據(jù): L6201(SO20表面貼片) L6201PS(PowerSO20) L6202(雙列直插封裝18引腳) L6203(Multiwatt封裝) |
結(jié)構(gòu)圖
引腳連接圖(俯視)
引腳功能
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絕對最大額定值
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| 不同的輸出端的電壓(在Out1到Out2之間)60V | | |
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| 脈沖輸出電流 對于L6201PS/L6202/L6203(注1) –無重復 對于 L6201 對于6201PS/L6202/L6203 直流輸出電流 對于L6201 (注1) | | |
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| Boostrap Peak Voltage 自舉電容峰值電壓 | | |
| 總功耗 Tpins = 90°C 對于 L6201 對于 L6202 Tcase = 90°C 對于 L6201PS/L6203 Tamb = 70°C 對于 L6201 (注2) 對于 L6202 (注2) 對于 L6201PS/L6203 (注2) | | |
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注1:脈沖寬度僅受節(jié)點及電熱阻抗的影響(詳見熱特征參數(shù)表)
注2:配置最小面積的銅片
熱特征參數(shù)
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Rthj-pins Rthj-case Rthj-amb | 節(jié)點引腳熱電 max 最大值 節(jié)點內(nèi)熱阻 max. 最大值 節(jié)點外熱阻 max. 最大值 | | | | | |
(*)安裝鋁制基片電路板
電氣特性(測試電路參數(shù):溫度=25C ,,電壓42V,傳感電壓0V,無別的特殊要求)
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| | EN = H VIN = L EN = H VIN = H IL = 0 EN = L ( 圖. 1,2,3) |
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晶體管
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| | 圖。9 IDS=1A L6201 IDS=1.2A L6202 IDS=3A L6201PS/03 |
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二極管源極,漏極
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| | IF=1A L6201 IF=1.2A L6202 IF=3A L6203 |
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邏輯電平
電氣特性(續(xù))
芯片控制邏輯時序
(*)受限于功耗
(**)在同步整流中的(L6202//03)VSD壓降如圖4所示;一般L6201的電壓值是0.3V
圖1。典型和Tj的示意圖
圖2。典型靜態(tài)電流和頻率的示意圖
圖3。典型Is和Vs的示意圖
圖4。典型Rds和Vref的示意圖(Vref從Vs到Vref)
圖5。正常狀態(tài)(25°C)Rds的阻止與溫度變化的示意圖
圖6(a),同步整流下二極管的狀態(tài)(L6201)
圖6(b),同步整流下二極管的狀態(tài)(L6201PS/02/03)
圖7(a)。典型功耗與IL的示意圖(L6201)
圖7(b)。典型功耗與IL的示意圖(L6201PS/02/03)
圖8(a)。兩相斬波
圖8(b)。單項斬波
圖8(c)。使能端斬波
測試電路
圖9。飽和電壓
圖10。靜態(tài)電流
圖11。漏電流示意圖
圖12。源電流延遲時間及輸入斬波示意圖
圖13。反偏電流延遲時間及斬波
電路概述
L6201/1PS/2/3是一種應用多源BCD(Bipolar,CMOS,DMOS)技術(shù),用于電機切換驅(qū)動的整塊全橋芯片。多源BCD技術(shù)是集成多個或者單獨的DMOS場效應晶體管,另外還混合MOS管/二極管的控制電路。通過使用這種技術(shù)使得這類芯片具備兼容所有TTL,COMS和C并且可以消除外部MOS設備的驅(qū)動問題。邏輯驅(qū)動圖如表1所示。
表1
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| | Sink1,Sink2 Sink1,Source2 Source1,Sink2 Source1.Source2 |
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L表示低電平 H表示高電平 X表示任意狀態(tài)
(*)INPUT1和INPUT2是控制器的數(shù)字輸出級
雖然L6201/1PS/2/3這類芯片能保證被擊穿的情況的發(fā)生,但是不能避免由于DMOS管配置二極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)而引起的強電流產(chǎn)生的檢測熱量。這種現(xiàn)象的產(chǎn)生主要是由于與節(jié)點組合的C1和C2兩個電容充放電(如圖14)。當輸出有高電平向低電平轉(zhuǎn)換的時候,一股的尖峰電流注入電容C1。在低電平向高電平轉(zhuǎn)化的過程中同樣有一股大的尖峰電流注入電容C2,底部DMOS場效應管的輸入電容的充電導致在尖峰電流之前有電極性的跳變(如圖15)。
圖14.DMOS場效應管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)
圖15.在檢測引腳的尖峰電流劉示意圖
晶體管的運轉(zhuǎn)
導通狀態(tài)
當DMOS的其中一端處于到通的狀態(tài),那么可以說電阻RDS(ON)始終處于能操控的范圍。在此期間的功耗的表達式:
PON = RDS (ON) IDS2 (RMS)
多源BCD過程的低阻態(tài)電阻RDS(ON) 在低功耗的情況選能提供高電流
關斷狀態(tài)
當DOMS的其中一端關斷的時候,那么VDS的電壓等于電壓源的電壓,同時只有漏電流IDSS存在。此間的功耗有如下的公式:
POFF = VS IDSS
此時的功耗十分低,較導通時候的功耗是可以被忽略的
晶體管
幾乎可以發(fā)現(xiàn),上述的晶體管的源極和溝道間內(nèi)置二極管,二極管運行在一種快速,任意方向的切換模式。在下次循環(huán)之前,使能端處于與高電平的狀態(tài),電壓降等于電阻(RDS (ON))電流(ID)的乘積直到達到二極管的正向偏置電壓。當使能端是低電平時,場效應管關斷,同時所有電流施加于二極管。在反復循環(huán)的過渡時期的功率取決于電壓—電流的波形以及驅(qū)動方式(如圖7(a),(b),圖8(a),(b),(c))
Ptrans. = IDS (t) VDS (t)
自舉電容
只有所有的N溝道在10V的柵極電壓下才能夠確保DMOS晶體管的正確驅(qū)動。對于底部的接地晶體管來說很容易證明,但是上部的晶體管顯然需要一個更高的驅(qū)動電壓。當達到內(nèi)置充電電流的達到峰值的時候能結(jié)合自舉電容正確驅(qū)動。為了充電能夠有效的進行,自舉電容的值應當大于1nF的晶體管的輸入電容。所以自居電容至少是10nF的。如果自居電容的取值過小會引起場效應管的充電不充分,并導致RDS (ON)呈高阻態(tài)。另一方面來說如果使用一個高容抗的電容那么在檢測電阻上會產(chǎn)生尖峰電流。
參考電壓
對于一個內(nèi)部含有阻抗,電壓的電路來說,應該在引腳和接地端放置一個電容。容抗為0.22 F的電容是以滿足條件。引腳可以被最大為2mA的電流擊穿,所以必須加以保護。
死區(qū)時間
為了保護橋臂中的同步電容引起的軌對軌短路電流,集成芯片提供了長于40ns的死區(qū)時間
熱電阻的保護
熱保護電路是必須具備的,一旦在節(jié)點溫度達到150攝氏度的時候,那么它就失效了。只有當溫度降到安全的范圍之內(nèi),重置驅(qū)動器,輸入和使能信號才能被控制。
應用信息
循環(huán)電路
使能端置高電平時,電路是循環(huán)的。晶體管的電壓降可以通過RDS(ON)IL的乘積表示,電壓降的大小取決于珊源極的二極管特性。雖然驅(qū)動器受傳導的保護,尖峰電流還是能夠通過內(nèi)置的珊源級電容的充放電現(xiàn)象到達檢測引腳端。那么在這樣的一個設備中,這不是引起任何的問題的,因為檢測電阻能夠承受的電壓是被設計好的。
上升時間Tr(如圖16.)
在電橋的對橋臂上的電容經(jīng)上升時間充電達到最大值電流IL時,此時的能量表達式:
EOFF/ON = [RDS (ON)IL2Tr] 2/3
負載時間TLD(如圖16)
在此期間的功率主要是由電阻也折算側(cè)的功率組成,電阻消耗的功率:
ELD = IL2 RDS (ON)2 T負載
折算側(cè)的功率:
E折算 = VSILTCOMfSWITCHT負載
其中:折算側(cè)的計算時間等于導通和關斷的時間,選擇頻率等于斬波頻率
由上升時間可以推導,下降時間應該有類似的公式:
EON/OFF = [RDS (ON)IL2 Tf] 2/3
靜態(tài)功耗
驅(qū)動器能耗的最后組成部分是靜態(tài)功耗,公式如下:
E靜態(tài) = I靜態(tài) Vs T
圖16
一個周期內(nèi)的能耗
ETOT = EOFF/ON + E負載 + E折算 + EON/OFF + E靜態(tài)
總功耗的計算中的變量符號含義:
功耗等于能除以周期時間
Tr表示 上升時間
TLD表示 負載驅(qū)動時間
Tf 表示下降時間
Td表示 死區(qū)時間
T 表示一個時間段
T = Tr + TLD + Tf + Td
直流電機速度控制
L6201/1PS/2/3自從制造成H全橋的封裝芯片就被用作直流電機的控制。主要用于直流電機速度和方向的功率級的控制。如圖17所示,L6201/1PS/2/3能夠驅(qū)動像L6506的運用跨導放大器的電流整流器。在這樣一個實際的組態(tài)電路中中,L6506只有一半的借口唄用到,另一半可以用來驅(qū)動第二臺電機。L6506的檢測電阻上的電流是鏡像電流:能夠檢測并比較電機的調(diào)速及制動的電壓。在L6506的兩個檢測端都配置了電阻RS。如果L6506的輸出和L6203的輸入之間的連接過長的話,那么在L6203的輸入端及接地端都要加電阻。在輸出端還應該配以RC保持器,同樣型號為BYW98的二極管也被用在連接電源出入端和接地端之間。如下的公式可以用來計算保持器的數(shù)值:
R VS/lp
C = lp/(dV/dt)
其中:VS是源電壓的最大值;IP是負載峰值電流;dv/dt受限于上升時間的輸出電壓(一般是V/s)。如果電源沒有擊穿電流保護,那么一個適當大一點的電容可以用在連接在L6203的供電端引腳。在17號引腳的電容能夠使得芯片更好的工作。電機的的電流上線是2A。L6202可用于同樣電流,24V的電機。
圖17:雙端電機控制
雙極進電機
雙極步進能在一片L6506或者L297,這兩種BCD全橋驅(qū)動器,并加上一些外部設備。綜合上述三種芯片才能組成一個完整的微處理器電路接口。如圖18、19所示,控制器是直接連接兩BCD驅(qū)動橋。外部擴展設備用到的是最小化的電路:一個斬波頻率電路的RC網(wǎng)絡,電阻(R1; R2)組成的比較器驅(qū)動,參考電壓和保持電壓是電阻和電容的串聯(lián)。(詳見直流電機的速度控制)
圖18。兩相雙極步進電機斬波控制電路
圖19。兩相雙極步進電機斬波、晶體管控制電路
驅(qū)動電機的最小電壓可以低于規(guī)定的最低12V的電壓(詳見電氣特性表);如此,可以有這樣一個假設,適當減少電阻R DS (ON)的阻值,從而減少最后一級的供電電壓,能從圖20可以看出。
圖20L6201/1P/2/3的電壓范圍為9—18V
熱特性
基于此類驅(qū)動器的高效性能,往往不需要真正的熱擊穿或者就是很容易就能在P.C.B上做成斬波電路(L6201/2)。在重載的時候,L6203需要適當?shù)慕禍亍M瑯拥那闆r,當斬波電路作用在L6201上時,如圖23,圖21指出該如何選擇的基區(qū)面積。L6201的功耗如上述表達式:
RTh j-amb = (Tj max. – Tamb max) / Ptot
圖22能看出在一個脈沖寬度時間內(nèi)電阻值與溫度的關系。圖23和24涉及到L6202。對于L6203還有一個附加的條件,圖25(熱電阻與周圍溫度的影響)及圖26(峰值熱電阻和脈沖寬度的關系),而圖27則是單脈沖熱阻值。
圖21.L6201的RTh J-amb與基底面積示意圖
圖22。典型電阻值與單脈沖示意圖
圖23.L6202的RTh J-amb與基底面積示意圖
圖24.L6202的典型電阻值與單脈沖示意圖
圖25. Multiwatt封裝的功耗
圖26.L6203的典型電阻值與重復脈沖示意圖
圖27.典型熱電阻脈沖寬度與周期對比系數(shù)
L297
步進電機控制器
- 常規(guī)波形驅(qū)動
- 半/全步方式
- 順/逆時針轉(zhuǎn)動方向
- 規(guī)定的開關負載電流
- 可編程負載電流
- 外接設備少
- 復位輸入&基準輸出
- 使能端輸入
概述
L297基于微處理器技術(shù)的集成電路芯片,用做兩相雙極性或四相單極性的步進電機控制器。電機能在半步,標準波形下或者是PWM斬波電路的選擇方式下的線圈電流下驅(qū)動。這類芯片的特點:值需要時鐘信號,電機的旋轉(zhuǎn)方向的輸入信號。自從微處理器的集成化和可編程化的運用,相角控制使用大量的減少。封裝在雙列直插(20引腳)和表面貼片(20引腳)的L297被做成一整塊全橋的驅(qū)動器,在L298N、L293E或者別的驅(qū)動器的驅(qū)動下使用。

分類數(shù)據(jù):L297/1(雙列直插20引腳) L297d(表面貼片20引腳) |
絕對最大額定值
兩相雙極性步進電機控制電路
引腳圖(俯視)
結(jié)構(gòu)圖(L297/1 - L297D)
引腳功能L297/1 - L297D
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| | 芯片輸出斬波器 在外施時鐘源輸入的情況下,同步引腳輸出端應用于連接所有L297的同步引腳和斬波器,并非單個的引腳。 |
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| | 集電極開路輸出端。當L297的初始化(ABCD端口置0101)時能與斬波器相連。信號有效,晶體管運行 |
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| | 低電平有效,能控制A、B相的驅(qū)動 雙極性電機在此信號驅(qū)動下,能迅速衰減線圈電流。當Control端是低電平時,也能用于斬波電路。 |
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| | 低電平有效,能控制C、D相的驅(qū)動 功能同INT1一樣 |
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| | 芯片的使能端。置低電平時,INT1,INT2,A,B,C,和D才又能使用 |
| | 控制端取決于斬波器 斬波器低電平置于INT1和INT2,或者高電平置于ABCD線上 |
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| | 終端的RC(R接VCC電源端,C接地)電路決定了斬波器的等級。此端口在不同的芯片的組態(tài)不一定一樣。f1/0.69 RC |
| | 時鐘上升沿/下降沿控制輸入 電機的物理旋轉(zhuǎn)方向同時取決于線圈電流方向 改變電流方向能隨時改變旋轉(zhuǎn)方向 |
| | 步進時鐘脈沖,低電平有效,一個時鐘脈沖驅(qū)動電機前進一步 |
| | Half/Full不僅輸入。高電平為半步運行,低電平為整步運行。當L297在偶數(shù)的狀態(tài),單相電機選擇FULL。兩相電機在晶體管奇數(shù)時選擇FULL(HOME置初始狀態(tài)) |
| | 復位輸入,低電平有效。完成初始化(ABCD端口置0101) |
熱阻值數(shù)據(jù)
電路介紹
L297的主要用途是電機的驅(qū)動雙橋,大林管(復合晶體管),矩陣芯片。這類芯片受到控制器的時鐘信號,方向信號控制(一般的控制器是微處理器),并結(jié)合空如信號產(chǎn)生不同的功率級。
實現(xiàn)這些功能的主要部分是晶體管,晶體管依據(jù)電機的相序,,PWM的電流方向及線圈的方向。晶體管依據(jù)HALF/FULL引腳的選擇有三種工作方式。其一,常規(guī)方式(兩相導電),波形驅(qū)動(單相導電),半步驅(qū)動(單相導電和兩相導電的交替)。L297的兩種中斷方式也同樣能夠驅(qū)動半步,波形模式。三類信號,直接作用于L298的使能端,在線圈不導電的時候是電流衰減。當L297用作單相電機的驅(qū)動器,那么主要作用于這些線上:A,B,C,D,INT1和INT2。相線AB還有CD是交替斬波的,當一組斬波時另一組閑置,除非有中斷的信號到來。在L297和L298的組態(tài)技術(shù)中,忽略了負載的功耗。
一個共模斬波器,需要2個雙穩(wěn)態(tài)多諧振蕩器(觸發(fā)器)FF1和FF2來提供脈沖。測量檢測電阻(連接在SENS1和SENS2之間),當線圈上的電流到達可編程的峰值電壓Vref,內(nèi)置的同步比較器會重置2個雙穩(wěn)態(tài)多諧振蕩器。期間中間將一直有效,直到斬波器的脈沖到達的時候。兩個線圈的峰值電壓,都是通過的參考電壓Vref的可編程化來實現(xiàn)的。在這個組態(tài)電路中,接低噪聲的通過同步斬波器被很好的克服。依賴于所有連接的SYNC引腳,RC濾波網(wǎng)絡和接地的OSC引腳。
電機驅(qū)動相序
L297的晶體管能產(chǎn)生的相序有:常規(guī)相序,波形和半步方式。這三種驅(qū)動方式的相序及波形將在后面的章節(jié)做介紹。在所有的這些情況中,晶體管都是在高低交替的時鐘脈沖中得以實現(xiàn)。順時針旋轉(zhuǎn)的方向是要表明的,逆時針的相序和順時針是相似的,只需翻轉(zhuǎn)晶體管的狀態(tài)。ABCD置0101
半步驅(qū)動方式
HALF/FULL置高電平時,是半步驅(qū)動模式
常規(guī)驅(qū)動方式
HALF/FULL置低電平時,是常規(guī)驅(qū)動方式 (也叫做兩相驅(qū)動)
晶體管是奇數(shù)的狀態(tài) (1, 3, 5 或 7)。 這種方式下 INH1和INH2輸出仍舊是高電平
(續(xù))
波形驅(qū)動方式
HALF/FULL置低電平時,也是波形驅(qū)動方式(也叫單相驅(qū)動)
晶體管是偶數(shù)狀態(tài)(2,4,6或者8)
電氣特性圖(如結(jié)構(gòu)圖所示的情況,Tamb = 25C, Vs = 5V。無別的情形)
(續(xù))
圖1.
應用信息
兩相雙極性步進電機控制電路
兩相雙極性步進電機的線圈的電流是2A,二極管的快速電流是2A
圖2..
圖3.同步L297s
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作者: wlhuang 時間: 2018-3-8 15:41
感謝分享~
作者: 大雨 時間: 2021-11-14 08:59
有L6201驅(qū)動板的資料嗎
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